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據(jù)Objective Analysis對(duì)近300個(gè)PC性能測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行研究后得出的結(jié)論，他們認(rèn)為NAND閃存將會(huì)對(duì)DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)形成嚴(yán)重的威脅。他們的研究報(bào)告名為《看PC NAND閃存如何削弱DRAM內(nèi)存的影響力》，文中列舉了大量的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)。

　　閃存盤(pán)

        而隨著NAND閃存對(duì)DRAM內(nèi)存威脅的不斷增加，DRAM內(nèi)存業(yè)務(wù)有關(guān)的營(yíng)收則會(huì)進(jìn)一步下降，各大內(nèi)存芯片廠商將不得不采取彼此合并，或轉(zhuǎn)型為純DRAM內(nèi)存芯片設(shè)計(jì)公司等手段才能繼續(xù)生存下去。
　　報(bào)告的作者Jim Handy稱(chēng)：“我們研究了各種不同DRAM內(nèi)存+NAND閃存配置的PC機(jī)型的標(biāo)準(zhǔn)性能測(cè)試結(jié)果，最后發(fā)現(xiàn)，平均計(jì)算起來(lái)，人們?cè)贜AND閃存上每花費(fèi)一美元，所獲得的系統(tǒng)性能提升要比同樣價(jià)值的DRAM內(nèi)存更高。而隨著時(shí)間的推移，兩種存儲(chǔ)設(shè)備的性?xún)r(jià)比鴻溝還會(huì)進(jìn)一步增寬。”

　　全金屬U盤(pán)

       Objective Analysis的研究報(bào)告還認(rèn)為，相比人們傳統(tǒng)觀念中NAND閃存將取代機(jī)械式硬盤(pán)的可能性，NAND閃存更有可能會(huì)取代電腦系統(tǒng)中的DRAM內(nèi)存芯片。Handy稱(chēng)：“如果能在搭配N(xiāo)AND,DRAM和機(jī)械式硬盤(pán)時(shí)進(jìn)行良好的平衡，系統(tǒng)的性?xún)r(jià)比有可能超過(guò)簡(jiǎn)單的DRAM/機(jī)械式硬盤(pán)的組合。而NAND+DRAM的組合則可以在價(jià)格與常規(guī)DRAM+機(jī)械式硬盤(pán)系統(tǒng)相差無(wú)幾的條件下，實(shí)現(xiàn)接近安裝了SSD硬盤(pán)系統(tǒng)的性能。”

　　Handy認(rèn)為：“DRAM產(chǎn)商必須認(rèn)真思考一下他們的未來(lái)發(fā)展方向了。自1990年代以來(lái)，DRAM芯片市場(chǎng)的主要廠商由最初的17家減少到了目前的7家。而隨著NAND在PC系統(tǒng)中普及步伐的加快，這種并購(gòu)趨勢(shì)則會(huì)愈演愈烈。”

     旋轉(zhuǎn)U盤(pán)

     NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具吸引力。

    NAND的效率較高，是因?yàn)镹AND串中沒(méi)有金屬觸點(diǎn)。NAND閃存單元的大小比NOR要小(4F2：10F2)的原因，是NOR的每一個(gè)單元都需要獨(dú)立的金屬觸點(diǎn)。NAND與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器類(lèi)似，基于扇區(qū)(頁(yè))，適合于存儲(chǔ)連續(xù)的數(shù)據(jù)，如圖片、音頻或個(gè)人電腦數(shù)據(jù)。雖然通過(guò)把數(shù)據(jù)映射到RAM上，能在系統(tǒng)級(jí)實(shí)現(xiàn)隨機(jī)存取，但是，這樣做需要額外的RAM存儲(chǔ)空間。此外，跟硬盤(pán)一樣，NAND器件存在壞的扇區(qū)，需要糾錯(cuò)碼(ECC)來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。

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